Образцы готовых курсовых, контрольных, дипломных работ, рефератов и задач
ГлавнаяФизические основы электроники→Вариант 10

Данный сайт использует файлы cookie. Продолжая пользоваться сайтом вы соглашаетесь с этим.

Ознакомиться с политикой конфиденциальности


Алфавитный указатель по дисциплинам:

А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Э Ю


Поиск: введите тему контрольной или курсовой работы, условие задачи или тип работы.

На сайте имеется 23987 работ. Воспользуйтесь поиском, чтобы найти нужную вам работу



Вступайте в нашу группу ВКонтакте!




Выполняем нормоконтроль
От вас нужна методичка с требованиями по оформлению работы и сам документ в электронном виде.
Стоимость 10-30 р./страница.
Возможен срочный заказ.
Обращайтесь на нашу страницу ВКонтакте.



Скажи плагиату "НЕТ"!
Повысим оригинальность вашего текста, переписав его своими словами (Рерайт)
Без трюков
Без скрытых символов
Без перекодировок
Пишите на нашу страницу ВКонтакте.
Предоставим отчет об оригинальности
Обращайтесь сейчас!



Вариант 10

Описание работы:

Задача №1.
Имеется два образца собственного полупроводникового материала (или германия Ge

или кремния Si).
В первый образец вводят примесь бора (В), а во второй образец - примесь сурьмы (Sb).
Для каждого из двух образцов:
1.1. Определить положение уровня Ферми и построить энергетическую (или потенциальную) диаграмму, приняв за базовую величину ширину запрещенной зоны полупроводника.
1.2. Рассчитать коэффициенты диффузии.
1.3. Рассчитать удельное сопротивление собственных и легированных полупроводников.

Задача №2.
На основе указанных выше легированных полупроводников создан технологическим путем электрический p-n-переход.
2.1. Определить высоту потенциального барьера p-n-перехода dф0
2.2. Определить толщину p-n-перехода l0,ln,lp
2.3. Построить три потенциальных диаграммы: для состояния равновесия U=0, для прямого смещения U=Uпр и для обратного смещения перехода U=Uобр.

Задача №3.
Образованный электрический p-n-переход используется в качестве выпрямительного контакта (диода).
3.1. Определить тепловой ток (обратный ток насыщения)
3.2. Построить прямую ветвь ВАХ перехода
3.3. Определить дифференциальное сопротивление и сопротивление постоянному току для рабочего режима.
3.4. Определить барьерную емкость перехода при нулевом смещении U=0, а также построить вольт-фарадную характеристику.

Дано:
№ ПП мат конц. атомов бора(B) pp NA конц. атомов сурьмы(Sb) nn Nd площ. перех S T диффуз. Длина напряж смещ Ln Lp Uпр Uобр
м-3 м-3 м2 К м м В В
10 Si 5E 22 2E 21 8,00E-07 295 0,00008 0,00006 0,1 0,9

Т=300К ширина запр.зоны (dEm) собств. Конц. Нос. Заряда (ni) подвижность электронов (mn) подвиж. Дырок ( mр) относ. диэл.прониц (e)
эВ м-3 м2/В*с м2/В*с
Ge 0,66 2,4E 19 0,39 0,19 16
Si 1,12 1,45E 16 0,135 0,048 12

Примерный внешний вид работы:

Вариант 10

Тип работы: Контрольная работа



Похожие работы:

Дисциплина

Название работы

Тип работы

Примечание

Физические основы электроники

Вариант 11

Задача №1. Имеется два образца собственного полупроводникового материала (или германия ...
Контрольная работа
Физические основы электроники

Вариант 4

Задача №1. Имеется два образца собственного полупроводникового материала (или ...
Задание