 | Образцы готовых курсовых, контрольных, дипломных работ, рефератов и задач | |
Главная → Физические основы электроники→Вариант 4
Работы с данного сайта предназначены исключительно для ознакомления. Все права в отношении работы принадлежат ее законному правообладателю. Оплата доступа не предполагает продажу работы или прав на неё. Мы оказываем услуги подбора и систематизации информации. Сайт не несет ответственности за правильность теоретической и (или) практической частей в работе. Ответственность за неправомерное и незаконное использование работы лежит на пользователе. Полное или частичное воспроизведение и распространение учебных материалов сайта запрещено. Услуга предоставляется «как есть» ("as is") и в том виде, в котором она доступна на момент предоставления, при этом никаких гарантий прямых или косвенных, не предоставляется (включая, но не ограничиваясь, гарантии по использованию Услуги в конкретных целях). Копирование материалов с сайта запрещено.
Политика конфиденциальности: Мы высоко ценим Ваш интерес к нашему проекту. Защита персональных данных для нас очень важна. Мы соблюдаем правила защиты персональных данных и защиты ваших данных от несанкционированного доступа третьих лиц (защита персональных данных).
Заполнение формы с контактными данными означает безоговорочное согласие с настоящей Политикой конфиденциальности и указанными в ней условиями обработки персональной информации.
Ниже приводится информация об обработке персональных данных.
1. Персональные данные. Цель сбора и обработки персональных данных.
1.1. Вы всегда можете посетить данную страницу, не раскрывая никакой персональной информации.
1.2. Под персональными данными понимается любая информация, относящаяся к определенному или определяемому на основании такой информации физическому лицу.
1.3. Мы собираем и используем персональные данные, необходимые для выполнения Вашего запроса, это – фамилия, имя, телефон и электронный адрес.
1.4. Мы не проверяем достоверность персональных данных, предоставляемых физическими лицами, и не проверяет их дееспособность.
2. Условия обработки персональной информации покупателя и её передачи третьим лицам.
2.1. При обработке персональных данных посетителей сайта мы руководствуется Федеральным законом РФ «О персональных данных».
2.2. В отношении персональной информации покупателя сохраняется ее конфиденциальность.
2.3. Мы не передаем персональные данные третьим лицам.
3. Меры, применяемые для защиты персональной информации пользователей.
Мы принимаем необходимые и достаточные организационные и технические меры для защиты персональной информации пользователя от неправомерного или случайного доступа, уничтожения, изменения, блокирования, копирования, распространения, а также от иных неправомерных действий с ней третьих лиц.
ИП Сатаев Тимур Сагитович ОГРН 311028003900327
Поиск: введите тему контрольной или курсовой работы, условие задачи или тип работы.
Вступайте в нашу группу ВКонтакте!
Выполняем нормоконтроль
От вас нужна методичка с требованиями по оформлению работы и сам документ в электронном виде.
Стоимость 10-30 р./страница.
Возможен срочный заказ.
Обращайтесь на нашу страницу ВКонтакте.
Скажи плагиату "НЕТ"!
Повысим оригинальность вашего текста, переписав его своими словами (Рерайт)
Без трюков
Без скрытых символов
Без перекодировок
Пишите на нашу страницу ВКонтакте.
Предоставим отчет об оригинальности
Обращайтесь сейчас!
Задача №1.
или кремния Si).
В первый образец вводят примесь бора (В), а во второй образец - примесь сурьмы (Sb).
Для каждого из двух образцов:
1.1. Определить положение уровня Ферми и построить энергетическую (или потенциальную) диаграмму, приняв за базовую величину ширину запрещенной зоны полупроводника.
1.2. Рассчитать коэффициенты диффузии.
1.3. Рассчитать удельное сопротивление собственных и легированных полупроводников.
Задача №2.
На основе указанных выше легированных полупроводников создан технологическим путем электрический p-n-переход.
2.1. Определить высоту потенциального барьера p-n-перехода dф0
2.2. Определить толщину p-n-перехода l0,ln,lp
2.3. Построить три потенциальных диаграммы: для состояния равновесия U=0, для прямого смещения U=Uпр и для обратного смещения перехода U=Uобр.
Задача №3.
Образованный электрический p-n-переход используется в качестве выпрямительного контакта (диода).
3.1. Определить тепловой ток (обратный ток насыщения)
3.2. Построить прямую ветвь ВАХ перехода
3.3. Определить дифференциальное сопротивление и сопротивление постоянному току для рабочего режима.
3.4. Определить барьерную емкость перехода при нулевом смещении U=0, а также построить вольт-фарадную характеристику.
Дано:
№ ПП мат конц. атомов бора(B) pp NA конц. атомов сурьмы(Sb) nn Nd площ. перех S T диффуз. Длина напряж смещ
Ln Lp Uпр Uобр
м-3 м-3 м2 К м м В В
4 Si 8E 22 1,8E 22 1,00E-06 300 7E-05 5E-05 0,11 1
Т=300К ширина запр.зоны (dEm) собств. Конц. Нос. Заряда (ni) подвижность электронов (mn) подвиж. Дырок ( mр) относ. диэл.прониц (e)
эВ м-3 м2/В*с м2/В*с
Ge 0,66 2,4E 19 0,39 0,19 16
Si 1,12 1,45E 16 0,135 0,048 12
Данный сайт использует файлы cookie. Продолжая пользоваться сайтом вы соглашаетесь с этим.
Политика конфиденциальности
Условия скачивания работ (лицензионное соглашение).Работы с данного сайта предназначены исключительно для ознакомления. Все права в отношении работы принадлежат ее законному правообладателю. Оплата доступа не предполагает продажу работы или прав на неё. Мы оказываем услуги подбора и систематизации информации. Сайт не несет ответственности за правильность теоретической и (или) практической частей в работе. Ответственность за неправомерное и незаконное использование работы лежит на пользователе. Полное или частичное воспроизведение и распространение учебных материалов сайта запрещено. Услуга предоставляется «как есть» ("as is") и в том виде, в котором она доступна на момент предоставления, при этом никаких гарантий прямых или косвенных, не предоставляется (включая, но не ограничиваясь, гарантии по использованию Услуги в конкретных целях). Копирование материалов с сайта запрещено.
Политика конфиденциальности: Мы высоко ценим Ваш интерес к нашему проекту. Защита персональных данных для нас очень важна. Мы соблюдаем правила защиты персональных данных и защиты ваших данных от несанкционированного доступа третьих лиц (защита персональных данных).
Заполнение формы с контактными данными означает безоговорочное согласие с настоящей Политикой конфиденциальности и указанными в ней условиями обработки персональной информации.
Ниже приводится информация об обработке персональных данных.
1. Персональные данные. Цель сбора и обработки персональных данных.
1.1. Вы всегда можете посетить данную страницу, не раскрывая никакой персональной информации.
1.2. Под персональными данными понимается любая информация, относящаяся к определенному или определяемому на основании такой информации физическому лицу.
1.3. Мы собираем и используем персональные данные, необходимые для выполнения Вашего запроса, это – фамилия, имя, телефон и электронный адрес.
1.4. Мы не проверяем достоверность персональных данных, предоставляемых физическими лицами, и не проверяет их дееспособность.
2. Условия обработки персональной информации покупателя и её передачи третьим лицам.
2.1. При обработке персональных данных посетителей сайта мы руководствуется Федеральным законом РФ «О персональных данных».
2.2. В отношении персональной информации покупателя сохраняется ее конфиденциальность.
2.3. Мы не передаем персональные данные третьим лицам.
3. Меры, применяемые для защиты персональной информации пользователей.
Мы принимаем необходимые и достаточные организационные и технические меры для защиты персональной информации пользователя от неправомерного или случайного доступа, уничтожения, изменения, блокирования, копирования, распространения, а также от иных неправомерных действий с ней третьих лиц.
ИП Сатаев Тимур Сагитович ОГРН 311028003900327
Ознакомиться с политикой конфиденциальности
Алфавитный указатель по дисциплинам:
Поиск: введите тему контрольной или курсовой работы, условие задачи или тип работы.
На сайте имеется 23986 работ. Воспользуйтесь поиском, чтобы найти нужную вам работу
Вступайте в нашу группу ВКонтакте!
Выполняем нормоконтроль
От вас нужна методичка с требованиями по оформлению работы и сам документ в электронном виде.
Стоимость 10-30 р./страница.
Возможен срочный заказ.
Обращайтесь на нашу страницу ВКонтакте.
Скажи плагиату "НЕТ"!
Повысим оригинальность вашего текста, переписав его своими словами (Рерайт)
Без трюков
Без скрытых символов
Без перекодировок
Пишите на нашу страницу ВКонтакте.
Предоставим отчет об оригинальности
Обращайтесь сейчас!
Вариант 4
Описание работы:
Задача №1.
Имеется два образца собственного полупроводникового материала (или германия Ge
или кремния Si).В первый образец вводят примесь бора (В), а во второй образец - примесь сурьмы (Sb).
Для каждого из двух образцов:
1.1. Определить положение уровня Ферми и построить энергетическую (или потенциальную) диаграмму, приняв за базовую величину ширину запрещенной зоны полупроводника.
1.2. Рассчитать коэффициенты диффузии.
1.3. Рассчитать удельное сопротивление собственных и легированных полупроводников.
Задача №2.
На основе указанных выше легированных полупроводников создан технологическим путем электрический p-n-переход.
2.1. Определить высоту потенциального барьера p-n-перехода dф0
2.2. Определить толщину p-n-перехода l0,ln,lp
2.3. Построить три потенциальных диаграммы: для состояния равновесия U=0, для прямого смещения U=Uпр и для обратного смещения перехода U=Uобр.
Задача №3.
Образованный электрический p-n-переход используется в качестве выпрямительного контакта (диода).
3.1. Определить тепловой ток (обратный ток насыщения)
3.2. Построить прямую ветвь ВАХ перехода
3.3. Определить дифференциальное сопротивление и сопротивление постоянному току для рабочего режима.
3.4. Определить барьерную емкость перехода при нулевом смещении U=0, а также построить вольт-фарадную характеристику.
Дано:
№ ПП мат конц. атомов бора(B) pp NA конц. атомов сурьмы(Sb) nn Nd площ. перех S T диффуз. Длина напряж смещ
Ln Lp Uпр Uобр
м-3 м-3 м2 К м м В В
4 Si 8E 22 1,8E 22 1,00E-06 300 7E-05 5E-05 0,11 1
Т=300К ширина запр.зоны (dEm) собств. Конц. Нос. Заряда (ni) подвижность электронов (mn) подвиж. Дырок ( mр) относ. диэл.прониц (e)
эВ м-3 м2/В*с м2/В*с
Ge 0,66 2,4E 19 0,39 0,19 16
Si 1,12 1,45E 16 0,135 0,048 12
Примерный внешний вид работы:
Тип работы: Задание
Похожие работы:
Дисциплина | Название работы | Тип работы | Примечание |
| Физические основы электроники | Вариант 11 Задача №1. Имеется два образца собственного полупроводникового материала (или германия ... | Контрольная работа | |
| Физические основы электроники | Вариант 10 Задача №1. Имеется два образца собственного полупроводникового материала (или германия ... | Контрольная работа |